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- 产品描述
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晶圆陶瓷基板LED芯片UV减粘膜光解切割保护膜抗酸耐酸性PO膜耐酸碱性半导体切割保护膜
产品介绍：MC-UV3217以PO为基材的UV减粘膜，涂布耐酸碱性亚克力胶水制作而成。特性/用途：1）此保护膜照紫外线前粘性较强，经紫外线照射后，粘性大幅降低，可轻易剥离；2）主要用于晶圆片、陶瓷切割，玻璃减薄；使用紫外线固化胶水。3）用于需要耐受酸碱腐蚀，玻璃强化，五金件电镀等环境。保存期限：室温23℃，相对湿度55%，可保存6 个月。测试环境：温度23℃±2，湿度30-50%，因冬季胶性敏感，需回温4H↑后再贴钢板测试，以确保准确性；注意事项：1）此材料若长期储存于60℃以上环境中，粘着力会大幅度下降。2）以上技术资料仅供参考，不做产品验收使用。3）产品储存于阴凉通风处，避免阳光直接照射。4）使用特殊场合时，请先测试确认。以上资料为实验测试之平均值非规范用，根据不同的测试方法，数据各有差异，建议在选择合适的产品前，请客户自行试用评估。
UV胶带是专为贴片电子元器件、SMT元器件、MLCC片式电容，片式电感制程中的定位切割；半导体晶片表面加工；电子及光电产业部件制作加工工程；LCD和TP触控面板玻璃减薄，研磨抛光；LED切割研磨抛光；蓝宝石基板的薄化研磨制程；晶片研磨、切割、各种硅片、封装基板、陶瓷、玻璃、水晶精细电子零件之承载加工和各种材质的微小零件加工切割之用而设计。涂布特殊粘胶，具高粘着力,切割时能以超强的粘着力确实粘住晶片即使是小晶片也不会发生位移或剥除使晶片于研磨、切割过程不脱落，不飞散，防止崩边，不扩张而能确实的切割，保证加工品质。加工结束后，只要照射适量的紫外线就能瞬间的降低粘着力,即使是大晶片也可以用轻松正确的捡拾而不残胶脱胶受污染,提高捡晶时的捡拾性,没有黏着剂沾染所造成的污染,更不会因为照射紫外线而对IC造成不好的影响。
UV胶带特点:
*切割时高粘着力,切割，研磨等加工时保证晶片不飞散,不残胶，防止分片，不扩张，防止背崩。
*照射UV反应时间快速，保证加工过程中品质，有效提升工作效率。
*起揭胶带，基本上无残胶断胶等情况，保证后续工序进行。
*防静电（可选）
*可耐酸碱性
注意事项：
1）在胶带粘贴前请先将被粘体表面的油污，尘埃，水分等擦净。
3）在太阳光照射下胶带的粘着力在短时间内会下降，所以胶带保管时，一定要放在遮光袋内，放置于阴凉之处。
3）胶带在使用时，请将环境温度控制在10℃至25℃。在此温度环境外使用时，会造成接合不良。
4）使用时请勿用手直接触摸胶带的胶面。
5）贴错位置时，请使用全新胶带，避免胶带再度使用。
6）用于其他新工艺上面上请先测试后试用。
由于产品规格众多，此报价仅供参加，非最终报价，更多产品规格与具体报价敬请旺旺咨询或来电洽谈，我们竭诚为您提供最优质的服务！
UV切割膜
基材材质：PO、PET
颜色：透明、乳白、
总厚度：0.06mm-0.175MM (可根据客户要求定做)
胶层厚度：0.01-0.025mm
贴玻璃粘着力/UV前180度剥离力：600-1600克（9.8N/in）
贴玻璃过UV后粘着力/UV后180剥离力：2-5克(0.02N/in)
残胶状况：无残胶
耐热性：-10℃*2hr/80℃*2hr
适应温度℃：-10 ～ 80
标准尺寸（宽mm）：230mm、275mm、280mm、300mm、380mm、400mm
标准长度：100m
UV保护膜的特点：
1、切割时高粘着力,照射UV后粘度很低捡拾时晶片不飞散,不残胶。
2、照射UV反应时间快速，有效提升工作效率。
3、保持晶粒在切割中的完整，（无任何晶粒流失）減少切割中所产生的崩碎。
4、确保晶粒在正常传送过程中,不会有位移、掉落的情形，水不会渗入晶粒与胶带之间。
5、具有适当的扩张性。
6、可根据客户需求研发不同制程的UV膜和提供特殊尺寸的产品。
8、卓越的切割性、装载性。
9、支持低温的晶圆背面粘贴
适用于切割产品：
EMC或陶瓷基板的LED灯珠，QFN，PCB，封装好的半导体芯片Package，PLC元器件，光纤头元器件，玻璃滤光片等。
可用于代替进口产品：
日东：NBD-5172K，NBD-5170K等产品
狮力昂：6360-00，6360-15，6360-50，6360-95等产品
琳得科Lintec：D-510T，D-210，C-204，C-206
关键词:- UV减粘膜
- 切割保护膜
- QFN保护膜
- BG膜
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